IGBT Modules up to 600V / 650V
IGBT Modules up to 1200V
IGBT Modules up to 1600V / 1700V
IGBT Modules up to 3300V
IGBT Modules up to 6500V
IGBT Modules up to 1200V Dual ; Package: AG-62MM-1; I<sub>C </sub>(max): 300.0 A; V<sub>CE(sat)</sub> (typ): 1.75 V; Configuration: Dual Modules; Technology: IGBT4 Fast; Housing: 62 mm;
北京浩宇波科技有限公司 浩宇波(香港) 科技有限公司 主营 德国INFINEON (EUPEC) 英飞凌 (欧派克)IGBT 系列模块
功率模块
•单开关
•包括快速续流二极管
•绝缘金属基板封装
IGBT模块的温升不仅取决于IGBT模块的总损耗,而且与IGBT模块的封装有关,封装大小直接决定热阻大小,从而影响温升,为了便于对比,取同样62mm封装的FF300R12KS4和FF300R12KT4进行对比。
以国内某品牌焊机厂家的1250A软开关逆变焊机为例(零电压开通,软关断,计入1/3的关断损耗),原边电流有效值Irms=170A, 开关频率fsw=20KHz,单个IGBT最大占空比D=40%,分别选取FF300R12KS4和FF300R12KT4做对比,根据已知条件对照这两种模块的datasheet分别获取参数并计算损耗和温升情况。
FF300R12KS4和FF300R12KT4 在1250A焊机中的损耗及温升计算
注:Vcesat:饱和压降;Eon:开通损耗;Eoff:关断损耗;Pcond:通态损耗;Psw:开关损耗;Ptot:总损耗;RthJC:结到壳的热阻;RthCH:壳到散热器的热阻;ΔTJH:结到散热器的温度差。
Pcon=Vcesat*Irms*D, 即通态损耗为饱和压降和、电流、占空比的乘积;
Psw=(Eon+Eoff)*fsw,即开关损耗等于开通损耗和关断损耗之和乘以开关频率 ;
Ptot=Pcon+Psw,即总损耗等于通态损耗与开关损耗之和;
ΔTJH=Ptot*(RthJC+RthCH),即结到散热器的温差等于总损耗乘以结到散热器的热阻。
软开关逆变焊机正成为逆变焊机未来的主流方向,在20KHz的软开关模式下IGBT的通态损耗大于开关损耗,因此寻找一款满足软开关逆变焊机低饱和压降要求的高速IGBT芯片显得非常迫切,英飞凌公司的第四代IGBT—T4很好地满足了这一要求,仿真和实验结果表明散热器温度明显降低,结温安全裕量大大增加,IGBT可靠性显著提高,目前采用这款IGBT芯片的模块正被越来越多的软开关逆变焊机客户所使用