中国科学家开发出新材料 可大幅提高电子存储速度

          相关成果由中科院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队取得。宋志棠等人利用含钪、锑、碲的合金材料制造出相变存储器单元（ＰＣＲＡＭ），这一新材料的写入速度可达７００皮秒（一皮秒相当于一万亿分之一秒）。

          目前可商用的相变存储器多使用锗、锑、碲合金材料，其写入速度极限约为５０纳秒左右（１纳秒等于１０００皮秒）。

          相变存储器是一种非易失存储器，可通过脉冲电流让存储材料在晶体和非晶体间转换，以实现读、写、擦操作。由于改变的是材料的物理状态，断电后信息不会消失，有效解决了市场常用的动态随机存储器（ＤＲＡＭ）因断电导致数据丢失的缺点。

          作为新型相变材料，钪与碲的化学键稳定，在非晶体到多晶体转化过程中，形成稳定的“八面体”基元，并迅速“成核”生长为多晶体，使存储功耗降低，存储速度提升。

          宋志棠接受采访时说：“团队下一步准备将这种材料用于自主开发的６４兆、１２８兆存储芯片上，验证其大容量、高速应用的可行性，这有望大幅提高缓存速度，为中国自主开发先进存储器铺平道路。”